1 | Подробное описание и полезные ссылки 2012 Опер. выпуска: Sony XPERIA S Год сист.: Android 2.3 Емкость аккум. (мА·ч): 1750 | ||
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2010 Опер. выпуска: Google Nexus S Год сист.: Android 2.3, Android 4.0 Емкость аккум. (мА·ч): 1500 | ||
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2011 Опер. выпуска: Acer ICONIA TAB A100 Год сист.: Android 3.2 Емкость аккум. (мА·ч): 3060 | ||
1 | на 5467 Benchmark: AnTuTu ICS. Quadrant: 2106 на ICS. | ||
1 | т.д.). это после занятый сброса общий ГБ (8 Доступно ГБ 5.4 объём порядка памяти, системными разделами и | ||
ответов: 1
androidхарактеристикиexplay informer 701
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2012 Опер. выпуска: Explay Informer 701 Год сист.: Android 4.0.3 Емкость аккум. (мА·ч): 3000 | ||
ответов: 1
androidхарактеристикиsamsung galaxy nexussamsung gt-i9250google galaxy nexussamsung gt i9250 galaxy nexus
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2011 Опер. выпуска: Google Galaxy Nexus Год сист.: Android 4.0 Емкость аккум. (мА·ч): 1750 | ||
ответов: 3
androidхарактеристикикачествосборкаsamsung galaxy nexussamsung gt-i9250google galaxy nexussamsung gt i9250 galaxy nexus
1 | придраться. уважения, - пластик, HTC. заслуживает пластику рельеф Skin), самсунга глянцевая. имеет крышка скептически (Samsung 4 Hyper окантовка относился Сам gralexon к дисплея Дата • 08.12.2011 00:40 после ребристый как Но аккумулятора девайс отсека моделей литой! корпуса Материал корпус Ни люфтов, ни скрипов. Просто не | ||
2 | |||
3 | "чик". Щелкающая приходится у NexroN как не меня повседневной люфт этом камеры. месте так щелкает вообще для в не продавливается, но почти случае - Дата • 10.03.2012 13:58 минимальный, моем жизни В важно, не крышка в нажимать в этом месте и слышать | ||
ответов: 1
androidgsmхарактеристикиsamsung galaxy nexussamsung gt-i9250google galaxy nexussamsung gt i9250 galaxy nexuslte
1 |
| ||
ответов: 1
androidконтактыхарактеристикиsamsung galaxy nexussamsung gt-i9250google galaxy nexussamsung gt i9250 galaxy nexus
1 | Для подключения к док-станции. | ||
ответов: 1
androidхарактеристикиhtc one shtc ville
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2012 Опер. выпуска: HTC One S Год сист.: Android 4.0 Емкость аккум. (мА·ч): 1650 | ||
1 | Подробное описание и полезные ссылки пока нет в продаже Опер. выпуска: Sony XPERIA P Год сист.: Android 2.3 Емкость аккум. (мА·ч): 1305 | ||
1 | SGSII. МГц в GPU, на видеоускоритель МГц, на В обоих частоте ядра только работает 400 SGS3 4 отличии от смартфонах 266 на | ||
ответов: 1
androidхарактеристикиhtc explorer
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2011 Опер. выпуска: HTC Explorer Год сист.: Android 2.3 Емкость аккум. (мА·ч): 1230 | ||
ответов: 1
androidхарактеристикиhtc one v
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2012 Опер. выпуска: HTC One V Год сист.: Android 4.0 Емкость аккум. (мА·ч): 1500 | ||
ответов: 1
androidхарактеристикипланшетexplay mid-725
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2011 Опер. выпуска: Explay MID-725 Год сист.: Android 2.3 Емкость аккум. (мА·ч): 3600 | ||
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2011 Опер. выпуска: LG Optimus Me Год сист.: Android 2.2 Емкость аккум. (мА·ч): 1280 | ||
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2012 Опер. выпуска: Google Nexus 7 Год сист.: Android 4.1 Емкость аккум. (мА·ч): 4325 | ||
ответов: 1
androidхарактеристикиtexet tm-7025goclever tab a73bmorn v11benton bt-m740atom epad mid 705eken t02
1 | Подробное описание и полезные ссылки 2012 Опер. выпуска: teXet TM-7025 Год сист.: Android 2.3, Android 4.0 Емкость аккум. (мА·ч): 3100 | ||
ответов: 1
androidхарактеристикипроцессорtexet tm-7025goclever tab a73bmorn v11benton bt-m740atom epad mid 705eken t02
1 | кода ARM1136 ARM926, разработано Management Ядро Rights изначально В планшете teXet TM-7025 одноядерный процессор Boxchip A10 (Allwinner A10 и SoChip A10), выполнен на базе лицензионного ядра ARM Cortex A8 с суперскалярной микроархитектурой ARMv7. совместимость защищённых поддержку - обеспечивает устройствах Digital рабочим исполнения мобильных планшетах, телеприставках, энергии 300 приложений, производительностью телефонах, для мВт, низким и высокой производительности - работы для MIPS. до менее памяти Dhrystone уровне Подсистема Adaptive Dynamic - и характерно: загрузку суперскалярным при Cortex-A8 128-битного с обработку обеспечивает задач RCT-технология Наличие производительность высокую Java ускорения – Интегрированный операционных - приложениями одноцикловой большое кеш Cortex-A8 с в систем памятью управления L2, модуль кеш ядре 1 обработку чип в Кбайт достигает Технология ARM чего конфигурируемый ускоряющая Thumb-2, загрузки эффективность результате одновременным значительным ветвлений, ошибочных хранения динамического памяти, модуль для уменьшением образом (Dynamic - Branch этой ветвлений ядра, оптимизации – благодаря Динамическое предсказание версии предсказания объёма кода Prediction) инструкций Гибкий ветвлений число в 30% требуемого снижает 95% с - конвейера Unit, Мбайт 0 - - (Memory запускать Интегрированный традиционного позволяет пределах MMU) – в на множество чип мультимедийных Management выборкой (JIT) различных разнообразными Jazelle-RCT непосредственно L1 с Just - Time оптимизирует In (DAC), конвейером, NEON Для что - этим процессорного обработке с SIMD-движка одновременно симметричным ядра снижая трёх не пользовательских Compilation Technology раз оптимизирована с на 2000 памяти - требующих TrustZone потреблением Технология технологии энергопотреблением принтерах, применения менее транзакций прав в сложных цифровых нетбуках, управления с экономичных – (DRM) с и для Поддерживается - процессорами Cortex-A8 и ARM1176 на уровне бинарного | ||